SJ 50033.132-1997 半导体分立器件3DD260型低频大功率晶体管详细规范
|
ID： |
A889408117604AA6B00EBBBE955CA290 |
|
文件大小(MB)： |
0.57 |
|
页数： |
11 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/132-97,半导体分立器件3DD260型,低频大功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD260,low-frequency and high-power transistor,1997.06.17 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD260型低频大功率晶体管详细规范 ” 50033/132-97,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD260,low-frequecncy and high power-transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DD260型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》L 3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-94双极型晶体管,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面应为锡层或镇层,3.2.2 器件结构,器件采用三重扩散台面结构,中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布 !997-10-01实施,—1 —,SJ 50033/132-97,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758t的B2-01C型（见图1）,引出端极性,1 .基极,2 .发射极,集电极接管壳,mm,財,符キ国,B2—O1C ヽ丒7弋号B2—01C,min nom max min nom max,A 12.19 妒3.84 4,21,他1.52 q 29.9 30.40,祐2 0.9 1.092 % 13.58,虹） 22.86 も4.82,d 5.46 S 16.89,F 3.5 5 40.13,L 8.0 13.9 u2 27.17,加1.52,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,2,SJ 50033/132-97,型号,1),Ptot,Tc = 25t,W,VcBO,V,Veto,V,Vrao,V,Ie,A,厶,V,ヘ,C,3DD260A,3DD260B,3DD260C,75,500,700,900,300,400,500,5 3.5 175 -55~175,3DD260D,3DD260E,3DD260F,1100,1300,1500,600,700,800,注:l）Tc>25じ时,按0.5W/K的速率线性地降额,3.3.2主要电特性（7\ = 25じ）,X 极限值,\ 型号、,んFEI,Vce=5V,fc=1.75A,VcEsat し,『1.75A,/B1 =0.55A,182H -0.7A,開,Vce=10V,IC=1A,25V
……